也便是等于ense上的电压。又因为MOS归于压控型器材，简直不会有电流从栅极流入到电阻R2上，所以说，加在

  稳压二极管钳位，改动共模输入规模，这个是比较值得学习学习的当地。OPA333的共模输入规模是（V-）-0.1V到（V+）+0.1V，比如说假如5V单电源供电的条件下，OPA233能处理的信号电压规模是-0.1V~5.1V，所以说假如个人会运用5V单电源给OPA333供电的话，是处理不了上图的电流检测的，因为上图的检测电压Vsense上的共模电压实在是太大了。

  但是假如在运算放大器供电的当地嵌入一个稳压二极管，那么OPA333的供电电压就变了，变为了400V和394.9V。随之，共模输入电压规模也就改动了，变为了394.8V~400.1V，而这个改动也正恰恰是高端电流检测所需求的。如下图：

  那么这个Rz该怎么取值呢？Rz的取值和两个参数相关，第一个是稳压二极管的Izt（在≥Izt的时分稳压管的稳压值才精确）。第二个是运算放大器的静态电流Iq（因为MOS为压控型器材，运算放大器简直不会供给电流在MOS的Cgs充满电后）。

  TI的规划是这样的，采用了低功耗的稳压二极管MMSZ4689T1（为避免电阻上的功耗过大），Izt为50uA，即在50uA的电流下，能够坚持稳压5.1V。

  公式核算Rz的取值要小于5.26MΩ，TI取了两个1.2MΩ的电阻串联，以减小单颗电阻的功率。

  关于PMOS的选型，有两点要考虑。第一点，便是PMOS的耐压值，肯定是要超越400V的，TI挑选了一颗力特的IXTT16P60P，最大耐压为600V。

  第二点便是MOS的功耗（因为MOS作业在线性区，所以MOS的功耗必定不行小觑），假定流过MOS的电流为8mA，因为MOS两头的电压差很大很大，所以功耗会很夸大，所以要挑选大封装的，而且PCB上做好散热：